ชอตกี้ไดโอด

Schottky diode ได้รับการตั้งชื่อตามผู้ประดิษฐ์ Dr. Schottky SBD ย่อมาจาก Schottky Barrier Diode (SBD) SBD ไม่ได้ถูกสร้างขึ้นโดยหลักการของจุดเชื่อมต่อ PN ที่เกิดจากการสัมผัสระหว่างสารกึ่งตัวนำชนิด P และสารกึ่งตัวนำชนิด N แต่เกิดจากหลักการของจุดเชื่อมต่อสารกึ่งตัวนำโลหะที่เกิดจากการสัมผัสระหว่างโลหะและสารกึ่งตัวนำ ดังนั้น SBD จึงเรียกอีกอย่างว่าไดโอดสารกึ่งตัวนำโลหะ (สัมผัส) หรือไดโอดกั้นพื้นผิว เป็นไดโอดพาหะร้อน