ไดโอดประเภทใดที่ใช้ในวงจร RF ของอุปกรณ์สื่อสาร?

1 ประเภทและฟังก์ชั่นของไดโอดในวงจร RF
วงจร RF มีข้อกำหนดที่เข้มงวดสำหรับประสิทธิภาพของไดโอดและไดโอดประเภทต่าง ๆ มีบทบาทที่แตกต่างกันในวงจร:
ไดโอด varactor
ฟังก์ชั่น: การปรับค่าความจุโดยการเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับที่ใช้สำหรับการปรับแรงดันไฟฟ้าออสซิลเลเตอร์ (VCO) และตัวกรอง RF
สถานการณ์แอปพลิเคชัน: ใช้การปรับความถี่ในการสังเคราะห์ความถี่ด้วยช่วงการปรับจูนมากกว่า 1GHz สถานีฐาน 5G บางแห่งใช้อาเรย์ไดโอด Varactor ซึ่งรองรับการสังเคราะห์สัญญาณหลายแถบและมีความเร็วในการสลับความถี่ของไมโครวินาที
เครื่องตรวจจับไดโอด
ฟังก์ชั่น: แปลงสัญญาณความถี่สูง - เป็นสัญญาณความถี่ต่ำ - สัญญาณความถี่สำหรับการ demodulation สัญญาณ
คุณสมบัติทางเทคนิค: การใช้โครงสร้าง Schottky ลดแรงดันไปข้างหน้าเป็น 0.15V ปรับปรุงประสิทธิภาพการตรวจจับ วิทยุ AM บางตัวใช้ไดโอดตรวจจับ Schottky ซึ่งเพิ่มประสิทธิภาพการตรวจจับ 50% และลดการบิดเบือนเป็น 0.5%
ไดโอดผสม
ฟังก์ชั่น: ใช้การผสมสัญญาณและการแปลงความถี่ที่ใช้สำหรับด้านหน้า - สิ้นสุดของตัวรับสัญญาณ
ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ: ตัวเลขเสียงของเครื่องผสมโครงสร้างที่สมดุลแบบคู่ต่ำถึง 3dB และความเป็นเส้นตรงถึง 40DBM ระบบการสื่อสารผ่านดาวเทียมบางตัวใช้ไดโอดผสมแกลเลียมอาร์เซไนด์เพื่อรองรับการรับสัญญาณหลายแถบที่มีความแบนที่ได้รับ± 0.5dB
ไดโอดพิน
ฟังก์ชั่น: ในฐานะสวิตช์ RF และตัวลดทอนมันควบคุมเส้นทางและความแข็งแรงของสัญญาณ
พารามิเตอร์ทางเทคนิค: ความเร็วในการสลับในช่วงนาโนวินาทีการสูญเสียการแทรกน้อยกว่า 0.2dB ความจุพลังงานสูงถึง 20W ระบบเรดาร์บางตัวใช้สวิตช์ไดโอดพินเพื่อให้ได้การสลับพัลส์นาโนวินาทีเพิ่มช่วงการตรวจจับเพิ่มขึ้น 30%
schottky diode
ฟังก์ชั่น: การแก้ไขความถี่สูงและสวิตช์การสูญเสียต่ำเหมาะสำหรับระบบการเก็บเกี่ยวพลังงานไร้สาย
ลักษณะของวัสดุ: โครงสร้างการสัมผัสเซมิคอนดักเตอร์โลหะโดยมีแรงดันไปข้างหน้าลดลงต่ำกว่าไดโอดธรรมดา 40% โหนดเซ็นเซอร์ไร้สายบางตัวใช้วงจรเรียงกระแส Schottky Diode โดยมีประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 85%
2, ความคืบหน้าในด้านวัสดุศาสตร์: กลไกการก้าวกระโดดของประสิทธิภาพไดโอด
ความก้าวหน้าทางวิทยาศาสตร์วัสดุกำลังปรับเปลี่ยนขอบเขตประสิทธิภาพของไดโอด RF การขับขี่เทคโนโลยีการสื่อสารไปสู่แถบความถี่ที่สูงขึ้นและแบนด์วิดท์ที่กว้างขึ้น
Gallium Nitride (GAN) ไดโอด
ประสิทธิภาพความถี่สูง: ความถี่ในการทำงานถึง 100GHz และความหนาแน่นของพลังงานสูงกว่าอุปกรณ์ซิลิกอน 5 เท่า
สถานการณ์แอปพลิเคชัน: แอมพลิฟายเออร์พลังงานของสถานีฐาน 5G ที่มีประสิทธิภาพ 80%รองรับการสื่อสารคลื่นมิลลิเมตร
Gallium Arsenide (GAAS) ไดโอด
ลักษณะของเสียงรบกวนต่ำ: ตัวเลขเสียงรบกวนต่ำถึง 1dB เหมาะสำหรับแอมพลิฟายเออร์เสียงต่ำ -
การพัฒนาทางเทคโนโลยี: โครงสร้าง heterojunction ช่วยปรับปรุงการตอบสนองความถี่เป็น 60GHz รองรับโหมด multi - และการสื่อสารความถี่ที่หลากหลาย
ไดโอดวัสดุคอมโพสิตที่ยืดหยุ่น
การประยุกต์ใช้นวัตกรรม: วัสดุคอมโพสิตอนินทรีย์อินทรีย์ตระหนักถึงวงจร RF ที่ยืดหยุ่น
ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ: รัศมีการดัดสามารถเข้าถึงได้ 5 มม. โดยไม่ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่สวมใส่ได้ สร้อยข้อมือสมาร์ทใช้อาร์เรย์ไดโอดที่ยืดหยุ่นเพื่อให้ได้การรับสัญญาณไร้สายและการส่งสัญญาณ
3, การใช้งานจริง: การพัฒนาอย่างมีประสิทธิภาพจากดาวเทียมไปยังสถานีฐาน
ไดโอด RF ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพอย่างมีนัยสำคัญและการขยายการทำงานในการใช้งานจริงของระบบการสื่อสาร
ระบบสื่อสารดาวเทียม
แอปพลิเคชั่นมิกเซอร์: การใช้ไดโอดผสมแกลเลียมอาร์เซไนด์เพื่อให้ได้สัญญาณ KA Band Down การแปลงด้วยความแบนที่ได้รับ± 0.5dB
การขยายพลังงาน: แอมพลิฟายเออร์ Gallium Nitride Diode มีกำลังเอาต์พุต 100W ประสิทธิภาพ 65%และรองรับการสื่อสารที่หลากหลาย
สถานีฐาน 5G
Beamforming: Pin Diode Array ควบคุมลำแสงเสาอากาศเพิ่มความเร็วผู้ใช้ 3 ครั้งและขยายความครอบคลุม 50%
การเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ: rectifier Schottky Diode ได้รับประสิทธิภาพ 95%ลดการใช้พลังงาน 40%และรองรับการสื่อสารสีเขียว
ระบบเรดาร์
การบีบอัดพัลส์: การใช้ลักษณะการสลับอย่างรวดเร็วของไดโอดพินโดยมีความละเอียด 0.1 เมตรและช่วงสูงสุด 500 กม.
Anti Interference: การตรวจจับไดโอดตัว จำกัด ยับยั้งสัญญาณรบกวนเพิ่มความไวโดย 20dB และลดความน่าจะเป็นสัญญาณเตือนที่ผิดพลาด 90%
https://www.trrsemicon.com/diode/smd {2} diode/1ss400-sod-523.html